AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析--《西安电子科技大学学报》2005年

微波功率器件 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 【摘要】:以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性, www.677x.comwww .51jipin.info